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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
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국제특허분류(IPC7판) |
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출원번호 | US-0255822 (2002-09-25) |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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대리인 / 주소 |
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인용정보 | 피인용 횟수 : 15 인용 특허 : 252 |
A method of removing a photoresist or a photoresist residue from a semiconductor substrate is disclosed. The semiconductor substrate with the photoresist or the photoresist residue on a surface of the semiconductor substrate is placed within a pressure chamber. The pressure chamber is then pressuriz
1. An apparatus for removing a residue from a substrate, the apparatus comprising:a. means for generating supercritical carbon dioxide and ozone in the presence of the substrate with the residue thereon, the means for generating supercritical carbon dioxide and ozone comprising a carbon dioxide tank
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