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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
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국제특허분류(IPC7판) |
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출원번호 | US-0188103 (2002-07-03) |
우선권정보 | JP-0135430 (1993-05-12); JP-0345126 (1993-12-20) |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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대리인 / 주소 |
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인용정보 | 피인용 횟수 : 37 인용 특허 : 16 |
A field effect transistor occupying a small area and a semiconductor device using the same can be obtained. A gate electrode is provided on a substrate on which a source region is provided with a first interlayer insulating film interposed therebetween. The gate electrode is covered with a second in
1. A semiconductor device in which flow of a number of carriers is controlled by a voltage applied to a gate, comprising:a substrate having a main surface; a first conductive layer of a first conductivity type provided in the main surface of said substrate; to be a first portion of one of source/dra
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