최소 단어 이상 선택하여야 합니다.
최대 10 단어까지만 선택 가능합니다.
다음과 같은 기능을 한번의 로그인으로 사용 할 수 있습니다.
NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
---|---|
국제특허분류(IPC7판) |
|
출원번호 | US-0861334 (2001-05-18) |
우선권정보 | EP-0870044 (1997-03-28) |
발명자 / 주소 |
|
출원인 / 주소 |
|
대리인 / 주소 |
|
인용정보 | 피인용 횟수 : 5 인용 특허 : 24 |
A method of fabricating an infrared detector, a method of controlling the stress in a polycrystalline SiGE layer and an infrared detector device is disclosed. The method of fabricating includes the steps of forming a sacrificial layer on a substrate; patterning said sacrificial layer; establishing a
1. A method of fabricating an electrical device comprising:depositing a sacrificial layer comprising a first material on a substrate; depositing a second material on the substrate; contemporaneously forming an active layer portion and at least one connector portion from the second material, wherein
※ AI-Helper는 부적절한 답변을 할 수 있습니다.