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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
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국제특허분류(IPC7판) |
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출원번호 | US-0747439 (2003-12-30) |
우선권정보 | KR-0087155 (2002-12-30) |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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대리인 / 주소 |
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인용정보 | 피인용 횟수 : 2 인용 특허 : 12 |
A wavelength-selective photo detector device includes a transparent upper electrode including a capacitor, a first semiconductor layer disposed under the upper electrode, an optical absorption layer disposed under the first semiconductor layer for absorbing light to form pairs of electrons and holes
1. A photo detector device, comprising:a transparent upper electrode including a capacitor; a first semiconductor layer disposed under the upper electrode; an optical absorption layer disposed under the first semiconductor layer for absorbing light to generate pairs of electrons and holes; an amplif
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