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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
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국제특허분류(IPC7판) |
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출원번호 | US-0402356 (2003-03-26) |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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대리인 / 주소 |
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인용정보 | 피인용 횟수 : 33 인용 특허 : 166 |
A technique for forming a gettering layer in a wafer made using a controlled cleaving process. The gettering layer can be made by implanting using beam line or plasma immersion ion implantaion, or made by forming a film of material such as polysilicon by way of chemical vapor deposition. A controlle
1. A method for producing a semiconductor wafer comprising:providing a donor substrate; disposing a patterned gettering layer within a region of the donor substrate; introducing first particles into the substrate to a first depth to produce a stressed layer, thereby dividing the donor substrate into
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