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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
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국제특허분류(IPC7판) |
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출원번호 | US-0787301 (1999-09-15) |
우선권정보 | NO-984296 (1998-09-16) |
국제출원번호 | PCT//NO99/00283 (2001-03-16) |
§371/§102 date | 20010316 (20010316) |
국제공개번호 | WO00//18681 (2000-04-06) |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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대리인 / 주소 |
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인용정보 | 피인용 횟수 : 68 인용 특허 : 4 |
The present invention concerns a method for preparing a CO2-rich gas stream for injection purposes or deposition, and a hydrogen rich gas stream, the method comprising the following steps: a) natural gas and H2O are fed into a one-step reforming process for preparing a gas mixture comprising CO2 and
1. A method for preparing a CO2-rich gas stream and a H2-rich gas stream, which comprises:a) feeding natural gas and H2O into a reforming reactor to form a gas mixture, b) subjecting the gas mixture to a one-step reforming reaction under supercritical heat and pressure conditions for water to form a
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