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특허 상세정보

Activation-free electroless solution for deposition of cobalt and method for deposition of cobalt capping/passivation layer on copper

특허상세정보
국가/구분 United States(US) Patent 등록
국제특허분류(IPC7판) C23C-018/34    C23C-018/36    B05D-001/18   
미국특허분류(USC) 106/001.22; 106/001.27; 427/443.1; 427/437
출원번호 US-0379692 (2003-03-06)
발명자 / 주소
출원인 / 주소
대리인 / 주소
    Daffer McDaniel, LLP
인용정보 피인용 횟수 : 24  인용 특허 : 8
초록

The present invention relates to compositions and a method for electroless formation of alkaline-metal-free coatings on the basis of cobalt and composition of cobalt with tungsten and phosphorus, which have high resistance to oxidation and stability of electrical characteristics, when the Co?Cu system layer is used in IC chips. The composition of the electroless solution contains more than one reducing agents, one of which can catalyze the initial electroless deposition layer of cobalt on copper (called initiator), while the other maintains deposition of...

대표
청구항

1. An electroless deposition solution for deposition of cobalt onto a substrate, comprising:at least one cobalt ion source; and at least two reducing agents for reducing ions of said at least one cobalt ion source, wherein the at least two reducing agents comprise: a first reducing agent for initiating deposition of a first layer of cobalt on said substrate; and a second distinct reducing agent for continuing the deposition of cobalt above said substrate, wherein the second reducing agent is substantially absent of alkali metals. 2. The electroless depos...

이 특허를 인용한 특허 피인용횟수: 24

  1. Valverde,Charles; Petrov,Nicolai; Yakobson,Eric; Chen,Qingyun; Paneccasio, Jr.,Vincent; Hurtubise,Richard; Witt,Christian. Cobalt and nickel electroless plating in microelectronic devices. USP2008027332193.
  2. Shek, Mei-yee; Ye, Weifeng; Xia, Li-Qun; Yim, Kang Sub; Chan, Kelvin. Cobalt selectivity improvement in selective cobalt process sequence. USP2015089105695.
  3. Shek, Mei-yee; Ye, Weifeng; Xia, Li-Qun; Yim, Kang Sub; Chan, Kelvin. Cobalt selectivity improvement in selective cobalt process sequence. USP2016109478460.
  4. Gorer, Alexander; Chiang, Tony; Lang, Chi-I. Concentrated electroless solution for selective deposition of cobalt-based capping/barrier layers. USP2010027658790.
  5. Chen, Qingyun; Valverde, Charles; Paneccasio, Vincent; Petrov, Nicolai; Stritch, Daniel; Witt, Christian; Hurtubise, Richard. Defectivity and process control of electroless deposition in microelectronics applications. USP2009117611987.
  6. Chen, Qingyun; Valverde, Charles; Paneccasio, Vincent; Petrov, Nicolai; Stritch, Daniel; Witt, Christian; Hurtubise, Richard. Defectivity and process control of electroless deposition in microelectronics applications. USP2009117615491.
  7. Chen,Qingyun; Valverde,Charles; Paneccasio,Vincent; Petrov,Nicolai; Stritch,Daniel; Witt,Christian; Hurtubise,Richard. Defectivity and process control of electroless deposition in microelectronics applications. USP2008087410899.
  8. Kolics, Artur; Ivanov, Igor. Electroless deposition chemical system limiting strongly adsorbed species. USP2010087780772.
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  10. Opocensky, Edward C.; Spurlin, Tighe A.; Reid, Jonathan D.. Method and apparatus for characterizing metal oxide reduction. USP2016109472377.
  11. Spurlin, Tighe A.; Antonelli, George Andrew; Doubina, Natalia; Duncan, James E.; Reid, Jonathan D.; Porter, David. Method and apparatus for remote plasma treatment for reducing metal oxides on a metal seed layer. USP2018019865501.
  12. Isobayashi, Atsunobu; Ishikawa, Masao. Method for processing semiconductor structure and device based on the same. USP2012038138097.
  13. Kolics, Artur. Methods and materials for anchoring gapfill metals. USP2014118895441.
  14. Kolics, Artur. Methods and materials for anchoring gapfill metals. USP2016079382627.
  15. Tong, Jinhong; Sun, Zhi-Wen; Lang, Chi-I; Kumar, Nitin; Kong, Bob; Fresco, Zachary. Methods for improving selectivity of electroless deposition processes. USP2013108551560.
  16. Spurlin, Tighe A.; Lambert, Darcy E.; Singhal, Durgalakshmi; Antonelli, George Andrew. Methods for reducing metal oxide surfaces to modified metal surfaces using a gaseous reducing environment. USP2015069070750.
  17. Dai, Haixia; Pakbaz, Khashayar; Spaid, Michael; Nikiforov, Theo. Plating bath and surface treatment compositions for thin film deposition. USP2010027655081.
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  22. Dai, Haixia; Pakbaz, Khashayar; Spaid, Michael; Nikiforov, Theo. Seed layers, cap layers, and thin films and methods of making thereof. USP2010047695981.
  23. Wang, Zhonghui Alex; Arunagiri, Tiruchirapalli; Redeker, Fritz C.; Dordi, Yezdi; Boyd, John; Korolik, Mikhail; Howald, Arthur M.; Thie, William; Nalla, Praveen. Thermal methods for cleaning post-CMP wafers. USP2011027884017.
  24. Wang, Zhonghui Alex; Arunagirí, Tiruchirapalli; Redeker, Fritz C.; Dordi, Yezdi; Boyd, John; Korolik, Mikhail; Howald, Arthur M.; Thie, William; Nalla, Praveen. Thermal methods for cleaning post-CMP wafers. USP2010057709400.