최소 단어 이상 선택하여야 합니다.
최대 10 단어까지만 선택 가능합니다.
다음과 같은 기능을 한번의 로그인으로 사용 할 수 있습니다.
NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
---|---|
국제특허분류(IPC7판) |
|
출원번호 | US-0754930 (2004-01-08) |
우선권정보 | FR-0009495 (2001-07-16) |
발명자 / 주소 |
|
출원인 / 주소 |
|
대리인 / 주소 |
|
인용정보 | 피인용 횟수 : 5 인용 특허 : 6 |
A method for preparing a semiconductor wafer wherein rapid thermal annealing is conducted to smooth a free surface of a superficial zone that is supported by the wafer. The improvement includes treating the superficial zone before conducting the rapid thermal annealing to prevent pitting in the supe
1. In a method for preparing a semiconductor wafer wherein rapid thermal annealing is conducted to smooth a free surface of the wafer, the improvement which comprises removing a superficial zone having a thickness of less than about 100 nm before conducting the rapid thermal annealing to prevent for
※ AI-Helper는 부적절한 답변을 할 수 있습니다.