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특허 상세정보

Integrated circuit including semiconductor power device and electrically isolated thermal sensor

특허상세정보
국가/구분 United States(US) Patent 등록
국제특허분류(IPC7판) H01L-027/82   
미국특허분류(USC) 257/577; 257/048; 361/093.8; 361/103
출원번호 US-0287034 (2002-11-04)
발명자 / 주소
출원인 / 주소
인용정보 피인용 횟수 : 6  인용 특허 : 7
초록

An integrated circuit (10) includes a thermal sensing device (20) and a power-switching device (12) such as an IGBT. The power device (12) is fabricated in a conventional manner on a semiconductor substrate, and the thermal sensing device (20) is fabricated on an electrical insulation layer (74) formed over the substrate. The thermal sensing device (20) may be provided in the form of a number of series-connected polysilicon diodes (D1-D3) positioned adjacent to the power device (12) such that the operating temperature of the thermal sensing device (20) i...

대표
청구항

1. A semiconductor integrated circuit comprising:a power device fabricated on a semiconductor substrate, said power device having a first plurality of electrical terminals extending therefrom and unconnected to any other electrical device defined by the integrated circuit, each of said first plurality of electrical terminals forming a separate electrical contact on the integrated circuit; an electrical insulation layer formed over said semiconductor substrate; and a thermal sensing device fabricated on said electrical insulation layer, said thermal sensi...