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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
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국제특허분류(IPC7판) |
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출원번호 | US-0788105 (2001-02-16) |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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대리인 / 주소 |
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인용정보 | 피인용 횟수 : 2 인용 특허 : 26 |
A dielectric structure and method for making a dielectric structure for dual-damascene applications over a substrate are provided. The method includes forming a barrier layer over the substrate, forming an inorganic dielectric layer over the barrier layer, and forming a low dielectric constant layer
1. A multi-layer dielectric disposed over a substrate for use in dual-damascene applications, comprising:a barrier layer disposed over the substrate; an inorganic dielectric layer of a fluorine doped oxide disposed over the barrier layer, the inorganic dielectric layer having a first thickness; and
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