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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
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국제특허분류(IPC7판) |
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출원번호 | US-0796602 (2004-03-08) |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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인용정보 | 피인용 횟수 : 54 인용 특허 : 32 |
We disclose a method of applying a sculptured layer of material on a semiconductor feature surface using ion deposition sputtering, wherein a surface onto which the sculptured layer is applied is protected to resist erosion and contamination by impacting ions of a depositing layer. A first protectiv
1. A method of preventing diffusion from a copper conductive layer through an underlying tantalum-comprising barrier layer, comprising:(a) depositing said tantalum-comprising barrier layer in a manner such that said tantalum-comprising barrier layer is variable in thickness and continuous, wherein a
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