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특허 상세정보

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IGBT with a Schottky barrier diode

특허상세정보
국가/구분 United States(US) Patent 등록
국제특허분류(IPC7판) H01L-027/95    H01L-031/0328   
미국특허분류(USC) 257/477; 257/198
출원번호 US-0689058 (2003-10-21)
우선권정보 JP-0362133 (2002-12-13)
발명자 / 주소
출원인 / 주소
대리인 / 주소
    Oblon, Spivak, MClelland, Maier &
인용정보 피인용 횟수 : 1  인용 특허 : 6
초록
▼

A semiconductor device which IGBT (Z1) and a control circuit (B1) for driving the IGBT (Z1) are formed on the same semiconductor substrate by using a junction isolation technology, includes an input terminal (P1) for inputting a drive signal of the IGBT (Z1), a Schottky barrier diode (D2) having an anode connected to the input terminal (P1) and a cathode connected to an input terminal (B11) of the control circuit (B1), and a p-channel MOSFET (T1) for shorting both ends of the Schottky barrier diode (D2) when the voltage of the drive signal input to the i...

대표
청구항
▼

1. A semiconductor device on which an insulated gate bipolar transistor and a control circuit for driving the insulated gate bipolar transistor are formed on a same semiconductor substrate, comprising:an input terminal via which a drive signal of the insulated gate bipolar transistor is input; a Schottky barrier diode having an anode connected to the input terminal and a cathode connected to an input terminal of the control circuit; and a first p-channel MOSFET that shorts both ends of the Schottky barrier diode when the voltage of the drive signal input...

이 특허에 인용된 특허 (6)

  1. Disney Donald Ray ; Shreve John Robert. Electrical load driving device including load current limiting circuitry. USP1998035723916.
  2. Yukio Yasuda JP. IGBT, control circuit, and protection circuit on same substrate. USP2002086441463.
  3. Zambrano Raffaele (San Giovanni La Punta ITX). Integrated structure active clamp for the protection of power devices against overvoltages, and manufacturing process th. USP1997085654225.
  4. Yasohara Masahiro,JPX ; Kato Yasushi,JPX ; Emura Shinichi,JPX ; Takada Kazuyuki,JPX ; Tanaka Yuji,JPX ; Takada Kouji,JPX ; Arakawa Ryutaro,JPX. PWM inverter with zero dead time and initial power supply capacitor charging. USP2000026021058.
  5. Sakurai Naoki (Hitachi JPX) Sugawara Yoshitaka (Hitachi JPX). Power semiconductor device with low on-state voltage. USP1997055631494.
  6. Shen Zheng (Chandler AZ) Robb Stephen P. (Tempe AZ). Semiconductor device having high voltage protection capability. USP1996075536958.

이 특허를 인용한 특허 피인용횟수: 1

  1. Yerger, Justin Michael. IGBT having improved clamp arrangement. USP20190210218349.

IPC 상위 출원인