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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
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국제특허분류(IPC7판) |
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출원번호 | US-0689058 (2003-10-21) |
우선권정보 | JP-0362133 (2002-12-13) |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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대리인 / 주소 |
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인용정보 | 피인용 횟수 : 1 인용 특허 : 6 |
A semiconductor device which IGBT (Z1) and a control circuit (B1) for driving the IGBT (Z1) are formed on the same semiconductor substrate by using a junction isolation technology, includes an input terminal (P1) for inputting a drive signal of the IGBT (Z1), a Schottky barrier diode (D2) having an
1. A semiconductor device on which an insulated gate bipolar transistor and a control circuit for driving the insulated gate bipolar transistor are formed on a same semiconductor substrate, comprising:an input terminal via which a drive signal of the insulated gate bipolar transistor is input; a Sch
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