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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
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국제특허분류(IPC7판) |
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출원번호 | US-0626760 (2003-07-21) |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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대리인 / 주소 |
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인용정보 | 피인용 횟수 : 244 인용 특허 : 9 |
A channel 16 of a FinFET 10 has a channel core 24 and a channel envelope 32, each made from a semiconductor material defining a different lattice structure to exploit strained silicon properties. A gate is coupled to the channel envelope through a gate dielectric. Exemplary materials are Si and SixG
1. A channel for electrically connecting a source and a drain of a field effect transistor (FET) comprising:a channel core coupled to a substrate and defining a top surface spaced from the substrate and opposed sidewall surfaces between the substrate and the top surface, wherein the channel core com
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