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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
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국제특허분류(IPC7판) |
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출원번호 | US-0903077 (1997-07-30) |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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인용정보 | 피인용 횟수 : 2 인용 특허 : 11 |
Oxides are etched with a halide-containing species and a low molecular weight organic molecule having a high vapor pressure at standard conditions, where etching is performed at preset wafer temperature in an enclosed chamber at a pressure such that all species present in the chamber, including wate
1. A method of etching oxides on a surface of a substrate, said substrate being at a temperature from 30° C. to 70° C., said method comprising etching with a gas phase mixture of a halide-containing species, an organic material having a higher vapor pressure than water at standard conditions of room
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