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Substrate processing apparatus and method for manufacturing semiconductor device 원문보기

IPC분류정보
국가/구분 United States(US) Patent 등록
국제특허분류(IPC7판)
  • C23C-016/00
출원번호 US-0190516 (2002-07-09)
우선권정보 JP-0211952 (2001-07-12)
§371/§102 date 20030909 (20030909)
발명자 / 주소
  • Taniyama, Tomoshi
  • Tometsuka, Kouji
  • Yanagawa, Shusaku
출원인 / 주소
  • Hitachi Kokusai Electric Inc.
  • Sony Corporation
대리인 / 주소
    Oliff &
인용정보 피인용 횟수 : 1  인용 특허 : 14

초록

A substrate processing apparatus and a method for manufacturing a semiconductor device can supply the vapor of the raw material to the substrate without fail. A main heater 22 is prepared outside the outer tube 21, an inner tube 23 is prepared inside the outer tube 21, a cap 24 that can be lifted an

대표청구항

1. A substrate processing apparatus comprising:a boat on which a plurality of substrates are supported and which is located in a substrate processing area set in a reaction chamber; a main heater which heats the plurality of substrates in the reaction chamber, the main heater being located outside t

이 특허에 인용된 특허 (14)

  1. Fujiyashu Hiroshi (Shizuoka JPX) Kurosawa Yoshiki (Shizuoka JPX) Kaneko Masaru (Shizuoka JPX), 7C apparatus for forming crystalline films of compounds.
  2. Goldin ; Grigory Borisovich ; Khlebnikov ; Valentin Petrovich ; Jushk ov ; Jury Vasilievich ; Maslov ; Vadim Nikolaevich ; Korobov ; Oleg Ev genievich ; Kuklev ; Vladimir Petrovich ; Demyanets ; Vlad, Device for epitaxial growing of semiconductor periodic structures from gas phase.
  3. Murray Richard A. (Kent WA), Direct contact heater for vacuum evaporation utilizing thermal expansion compensation means.
  4. Schoolar Richard B. (Silver Spring MD), Equilibrium growth technique for preparing PbSxSe1-x epilayers.
  5. Tanabe Hiroshi,JPX ; Tokura Satoshi,JPX ; Fukuyu Kengo,JPX ; Horita Akihiro,JPX ; Koishi Masaaki,JPX ; Sasaki Toru,JPX, Evaporation source, apparatus and method for the preparation of organic El device.
  6. Nakamura Takao (Osaka JPX) Iiyama Michitoma (Osaka JPX), Film deposition apparatus.
  7. Jensen James D. (Highland MD) Schoolar Richard B. (Silver Spring MD), Growth technique for preparing graded gap semiconductors and devices.
  8. Naoki Nagashima JP; Natsuki Takahashi JP; Toshio Negishi JP, Method of manufacturing thin organic film.
  9. Morris Hayden (Washington DC) Bis Richard F. (Mount Airy MD), Process for preparing isolated junctions in thin-film semiconductors utilizing shadow masked deposition to form graded-s.
  10. Gilbert ; Sr. Michael H. (North Olmsted OH) Hejl Timothy J. (Parma OH), Pyrolytic boron nitride heating unit.
  11. Shinko Julius S. (Bay Village OH), Resistance-heated pyrolytic boron nitride coated graphite boat for metal vaporization.
  12. Choo Dhe H. (Kyungki-do KRX) Song Ie H. (Seoul KRX), Substrate-heating device and boat structure for a vacuum-depositing apparatus.
  13. Colombo Paul E. ; Donadio Robert F., Unibody crucible and effusion source employing such a crucible.
  14. Nishida Keijiro (Nimomiya JPX) Kakei Mitsuo (Tokyo JPX) Kamiya Osamu (Yokohama JPX) Sekimura Nobuyuki (Yokohama JPX), Vapor deposition apparatus.

이 특허를 인용한 특허 (1)

  1. Nagata, Hiroshi; Shingaki, Yoshinori, Coating method and apparatus, a permanent magnet, and manufacturing method thereof.

문의처: helpdesk@kisti.re.kr전화: 080-969-4114

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