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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
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국제특허분류(IPC7판) |
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출원번호 | US-0650002 (2003-08-27) |
§371/§102 date | 20030930 (20030930) |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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인용정보 | 피인용 횟수 : 13 인용 특허 : 6 |
An electroless plating process for forming a barrier film such as a cobalt tungsten boron film on copper interconnects lines of semiconductor wafers uses a plating bath of morpholine borane which provides higher thermal stability and range, allowing for greater compatibility with low k dielectric ma
1. A semiconductor process comprising:providing an electroless plating bath container; dissolving a nickel- or cobalt-containing material in water to form a solution having at least one of nickel and cobalt; adding a first chelating agent to the solution, the first chelating agent having a first sta
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