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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
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국제특허분류(IPC7판) |
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출원번호 | US-0658781 (2003-09-10) |
우선권정보 | JP-0287199 (2002-09-30) |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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대리인 / 주소 |
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인용정보 | 피인용 횟수 : 2 인용 특허 : 14 |
A semiconductor device includes a substrate, a well region formed in the substrate, a field effect transistor formed in the well region, and a diffused region, formed across the well region and the substrate for applying back gate potential to the well region, and forming a PN junction together with
1. A semiconductor device, comprising:a substrate; a well region, formed in the substrate; a field effect transistor, formed in the well region; and a diffused region, formed across the well region and the substrate for applying a back gate potential to the well region, and forming a PN diode juncti
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