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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
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국제특허분류(IPC7판) |
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출원번호 | US-0783081 (2004-02-19) |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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인용정보 | 피인용 횟수 : 4 인용 특허 : 5 |
A method of fabricating a transistor includes providing a semiconductor substrate having a surface and forming a nitride layer outwardly of the surface of the substrate. The nitride layer is oxidized to form a nitrided silicon oxide layer comprising an oxide layer beneath the nitride layer. A high-K
1. A semiconductor structure, comprising:a semiconductor substrate having a surface;a gate stack outward of the surface of the semiconductor substrate, the gate stack comprising:a nitrided silicon layer comprising an oxide layer beneath a nitride layer, wherein the nitride layer has a maximum atomic
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