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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
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국제특허분류(IPC7판) |
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출원번호 | US-0047051 (2002-01-14) |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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대리인 / 주소 |
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인용정보 | 피인용 횟수 : 0 인용 특허 : 10 |
A process for forming a thin layer exhibiting a substantially uniform property on an active surface of a semiconductor substrate. The process includes varying the temperature within a reaction chamber while a layer of a material is formed upon the semiconductor substrate. Varying the temperature wit
1. A semiconductor processing assembly, comprising:a reaction chamber configured to house at least one semiconductor substrate; a heater located at least partially within the reaction chamber; at least one temperature sensor configured to sense a temperature and transmit a signal in response to a se
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