최소 단어 이상 선택하여야 합니다.
최대 10 단어까지만 선택 가능합니다.
다음과 같은 기능을 한번의 로그인으로 사용 할 수 있습니다.
NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
---|---|
국제특허분류(IPC7판) |
|
출원번호 | US-0317373 (2002-12-10) |
발명자 / 주소 |
|
출원인 / 주소 |
|
대리인 / 주소 |
|
인용정보 | 피인용 횟수 : 63 인용 특허 : 4 |
A method describing a low temperature process of forming a cobalt nitride layer using electroless deposition, followed by a nitridation step, is disclosed. The process described is useful in integrated circuit device fabrication applications, especially those involving the use of copper. The inventi
1. A method of forming a capping layer on copper lines of a semiconductor device, the method comprising:(a) electrolessly depositing a cobalt layer on an exposed surface of the semiconductor device such that the cobalt layer deposits on at least the copper lines of the exposed surface; and(b) exposi
※ AI-Helper는 부적절한 답변을 할 수 있습니다.