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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
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국제특허분류(IPC7판) |
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출원번호 | US-0178929 (2002-06-24) |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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인용정보 | 피인용 횟수 : 12 인용 특허 : 14 |
An RF switch includes first and second diodes characterized by an intrinsic region. Pin diodes and nip diodes are examples of such diodes with intrinsic regions. The diodes are stacked with facing first connections. A bias conductor extends from the first connections.
1. A solid state switching assembly comprising:A) first and second diodes, each diode being characterized by an intrinsic region and having an anode and cathode, one of said anode and cathode constituting a first connection and the other of the anode and cathode constitution a second connection, sai
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