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Apparatus and method for analyzing capacitance of insulator 원문보기

IPC분류정보
국가/구분 United States(US) Patent 등록
국제특허분류(IPC7판)
  • G01R-031/02
  • G01R-031/26
  • G01N-027/00
출원번호 US-0003258 (2001-12-06)
우선권정보 JP-0378188 (2000-12-12)
발명자 / 주소
  • Ohminami, Nobuyuki
출원인 / 주소
  • Sharp Kabushiki Kaisha
대리인 / 주소
    Nixon &
인용정보 피인용 횟수 : 1  인용 특허 : 14

초록

According to the present invention, there is provided an insulator capacitance analyzer for analyzing C-V characteristics of a first MIS structure having unknown capacitance, which includes: a capacitance structure having known capacitance and configured so as to be serially connectable to the first

대표청구항

1. An insulator capacitance analyzer for analyzing C-V characteristics of a first MIS structure having unknown capacitance, comprising:a capacitance structure having known capacitance and configured so as to be serially connectable to the first MIS structure; a measuring section for measuring synthe

이 특허에 인용된 특허 (14)

  1. von Windheim Jesko (Raleigh NC) Venkatesan Vasudev (Phoenix AZ), Diamond-based chemical sensors.
  2. Endo Koichi (Tokyo JPX), MIS type capacitor having reduced change in capacitance when biased in forward and reverse directions.
  3. Khaled Z. Ahmed ; Nguyen D. Bui ; Effiong Ibok ; John R. Hauser, MOSFET test structure for capacitance-voltage measurements.
  4. Kono Motohiro,JPX ; Kusuda Tatsufumi,JPX, Measurement of electrical characteristics of semiconductor wafer.
  5. Kusuda Tatsufumi (Kyoto JPX) Kouno Motohiro (Kyoto JPX) Nakatani Ikuyoshi (Kyoto JPX) Hirae Sadao (Kyoto JPX), Method and apparatus for measuring insulation film thickness of semiconductor wafer.
  6. Hirae Sadao (Kyoto JPX) Kouno Motohiro (Kyoto JPX) Sakai Takamasa (Kyoto JPX), Method and apparatus for measuring lifetime of minority carriers in semiconductor.
  7. Nicollian Edward H. (Charlotte NC) Blat Catherine E. (Charlotte NC), Method and apparatus for measuring the doping density profile of a semiconductor layer.
  8. Kouno Motohiro (Kyoto JPX) Nakatani Ikuyoshi (Kyoto JPX) Sakai Takamasa (Kyoto JPX), Method of and apparatus for measuring electric characteristics of semiconductor wafer.
  9. Fujimaki Nobuyoshi (Annaka JPX), Method of evaluating a MIS-type semiconductor device.
  10. Hirae Sadao (Kyoto JPX) Kouno Motohiro (Kyoto JPX) Matsubara Hideaki (Kyoto JPX), Method of measuring electric charge of semiconductor wafer.
  11. Kimura Mikihiro (Itami JPX), Method of measuring interface state density distribution in MIS structure.
  12. Hirae Sadao (Kyoto JPX) Matsubara Hideaki (Kyoto JPX) Kouno Motohiro (Kyoto JPX) Sakai Takamasa (Kyoto JPX), Non-destructive measuring sensor for semiconductor wafer and method of manufacturing the same.
  13. Hieda Katsuhiko (Yokohama JPX) Ozaki Tohru (Tokyo JPX), Semiconductor memory device with dielectric isolation.
  14. Bartelink Dirk J. (391 San Domingo Way Los Altos CA 94022), Three-electrode MOS electron device.

이 특허를 인용한 특허 (1)

  1. Hudson,Jeffrey A., Temperature detection method and apparatus for inverter-driven machines.
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