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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
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국제특허분류(IPC7판) |
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출원번호 | US-0289244 (2002-10-18) |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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대리인 / 주소 |
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인용정보 | 피인용 횟수 : 8 인용 특허 : 41 |
An ion source is provided wherein depositing gas and/or maintenance gas is/are introduced into the ion source via the vacuum/depositing chamber, thereby reducing the amount(s) of undesirable insulative build-ups on the anode and/or cathode of the source in an area proximate the electric gap between
What is claimed is: 1. An ion beam source capable of emitting an ion beam toward a substrate, the ion beam source comprising: an anode and a cathode, wherein an aperture is defined in at least one of the anode and cathode; wherein an electric gap is defined between the anode and the cathode; at l
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