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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
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국제특허분류(IPC7판) |
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출원번호 | US-0798753 (2004-03-10) |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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대리인 / 주소 |
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인용정보 | 피인용 횟수 : 198 인용 특허 : 96 |
A programmable memory cell comprised of a transistor located at the crosspoint of a column bitline and a row wordline is disclosed. The transistor has its gate formed from the column bitline and its source connected to the row wordline. The memory cell is programmed by applying a voltage potential b
What is claimed is: 1. A non-volatile programmable memory cell formed in a p-type semiconductor substrate and useful in a memory array having column bitlines and row wordlines, the memory cell comprising: a transistor having a p+ doped gate, a gate dielectric between the gate and over said substrat
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