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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
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국제특허분류(IPC7판) |
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출원번호 | US-0928872 (2004-08-28) |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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인용정보 | 피인용 횟수 : 6 인용 특허 : 1 |
MICRO-CONNECTOR STRUCTURE AND method of making the same are disclosed. The micro-connector is microminiaturized and improved its degree of compaction by using semiconductor process. The process is etching silicon substrates into V-shaped channels and then a layer of nanometer structure is grown on t
What is claim is: 1. A structure of a micro-connector comprising: a first substrate comprising a plurality of ridged lands either in triangle or in trapezoid shape with a first insulation layer, a first conductive layer, a first nano-meter structure layer and a second nano-meter structure layer for
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