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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
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국제특허분류(IPC7판) |
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출원번호 | US-0786354 (2004-02-25) |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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대리인 / 주소 |
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인용정보 | 피인용 횟수 : 12 인용 특허 : 223 |
Structures and methods are provided for an improved multilevel wiring interconnect in an integrated circuit assembly. The present invention provides for a multilayer copper wiring structure by electroless, selectively deposited copper in a streamlined process which further reduces both intra-level l
What is claimed is: 1. A multilevel wiring interconnect in an integrated circuit, comprising: a number of multilayer metal lines connecting to a number of silicon devices in a substrate; a low dielectric constant insulator in a number of interstices between the number of multilayer metal lines and
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