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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
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국제특허분류(IPC7판) |
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출원번호 | US-0273524 (2002-10-18) |
우선권정보 | DE-101 51 379(2001-10-18) |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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인용정보 | 피인용 횟수 : 0 인용 특허 : 13 |
A method for fabricating an integrated semiconductor circuit having at least two different wiring forms realized in a same metallization plane includes drawing each of the different wiring forms on respectively different layer types. In this manner, the at least two different wiring forms can be ind
We claim: 1. A method for fabricating an integrated semiconductor circuit having at least two different wiring forms realized in a same metallization plane, which comprises the steps of: assigning a respectively different layer type in a layout representation to each of the different wiring forms,
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