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Utilization of an ion gauge in the process chamber of a semiconductor ion implanter 원문보기

IPC분류정보
국가/구분 United States(US) Patent 등록
국제특허분류(IPC7판)
  • G21K-005/10
출원번호 US-0697644 (2003-10-31)
발명자 / 주소
  • Garza,Frederico
  • Wright,Michael
  • Peterson,Karl
출원인 / 주소
  • Infineon Technologies Richmond, LP
대리인 / 주소
    Staas &
인용정보 피인용 횟수 : 0  인용 특허 : 31

초록

A device to implant impurities into a semiconductor wafer has a process chamber having a wall, a pressure compensation unit, a disk to support a plurality of semiconductor wafers within the process chamber. The disk has a radially extending slot arranged among the wafers. A beam gun is positioned w

대표청구항

What is claimed is: 1. A device to implant impurities into a semiconductor wafer, comprising: a pressure compensation unit; a beam gun to shoot an ion beam at a semiconductor wafer; first and second ion gauges; and a switching device to selectively connect the first or second ion gauge to the pres

이 특허에 인용된 특허 (31)

  1. Edwards Peter I. T.,GBX ; Wright Christopher P.,GBX ; Kindersley Peter T.,GBX ; Cooke Richard,GBX ; Chamberlain Stephen S.,GBX, Apparatus and method for improved scanning efficiency in an ion implanter.
  2. Pfeiffer Loren N. (Harding Township ; Morris County NJ) West Kenneth W. (Mendham Township ; Morris County NJ), Apparatus comprising a high-vacuum chamber.
  3. Wagner Dennis W. ; Wauk ; II Michael T.,GBX ; Castle Matthew D. Scotney ; Adibi Babak, Apparatus for and methods of implanting desired chemical species in semiconductor substrates.
  4. Benveniste, Victor M., Beam uniformity and angular distribution measurement system.
  5. Maehara, Hiroshi; Ono, Haruhito; Shimada, Yasuhiro; Yagi, Takayuki, Charged-particle beam exposure apparatus and device manufacturing method.
  6. Farley Marvin (Ipswich MA), Dose control apparatus.
  7. Chen Hank ; Sinclair Frank ; Sugitani Michiro,JPX, Dose control for use in an ion implanter.
  8. Farley, Marvin, Dose control method.
  9. Johnson Edward A., Infrared radiation filament and method of manufacture.
  10. Denholm A. Stuart (Lincoln MA), Ion beam implantation method and apparatus for particulate control.
  11. Halling Alfred Mike ; Krull Wade, Ion dosage measurement apparatus for an ion beam implanter and method.
  12. Farley Marvin, Ion implant dose control.
  13. Wong Alfred Y. ; Rosenthal Glenn B., Isotope separation using a high field source and improved collectors.
  14. Walther Steven R., Method and apparatus for controlling ion implantation during vacuum fluctuation.
  15. Aoki Masahiko,JPX ; Tanjyo Masayasu,JPX, Method and apparatus for deflecting charged particles.
  16. Treglio James R. (San Diego CA), Method and apparatus for direct ARC plasma deposition of ceramic coatings.
  17. Turner Norman L. (Gloucester MA) Pollock John D. (Rockport MA), Method and apparatus for improved ion dose accuracy.
  18. Kodama Shuichi,JPX, Method and apparatus for ion implantation.
  19. Inomata Juro (Mizusawa JPX) Nakamura Masaru (Kitakami JPX), Method and device for analyzing gas in process chamber.
  20. Halling, Alfred Michael, Method and system for determining pressure compensation factors in an ion implanter.
  21. Tse, Tom; Zhao, Zhiyong; Hendrix, David M., Method and system for dose control during an ion implantation process.
  22. Yang, Chang-jip; Han, Chan-hee; Park, Young-kyou; Kim, Jae-wook, Method for manufacturing a semiconductor device having hemispherical grains.
  23. Cho Yeon-Ha,KRX ; Go Seok-Ho,KRX ; Lee Joon-Ho,KRX ; Yun Jae-Im,KRX, Method for monitoring Faraday cup operation in an ion implantation apparatus.
  24. Maleville, Christophe; Schwarzenbach, Walter, Method of characterizing implantation of a species in a substrate by surface imaging.
  25. Simmons, Jonathon Yancey; Aberle, David Eugene; Gallo, Biagio, Method of obtaining a performance parameter for an ion implanter and an ion implanter employing the method.
  26. Scherer, Ernst F., Methods and apparatus for precise measurement of time delay between two signals.
  27. Stark Lawrence R. (San Jose CA) Turner Frederick (Sunnyvale CA), Modular wafer transport and processing system.
  28. Garvey, James F.; Tompa, Gary S.; MacDonald, Stuart G.; DeLeon, Robert L., Multi-component substances and processes for preparation thereof.
  29. Plumb Frederick (Horsham GB2) Wright Christopher (Findon GB2) Bright Nicholas J. (Cowfold GB2) Aitken Derek (Dorking GB2) Harrison Bernard (Copthorne GB2), Systems and methods for ion implantation.
  30. McIntyre Edward K. ; Wenzel Kevin W. ; Swenson David R. ; Scherer Ernst F. ; Divergilio William F. ; Saadatmand Kourosh, Time of flight energy measurement apparatus for an ion beam implanter.
  31. Zhou Jiaxiang, Vacuum chamber bakeout procedure for preventing ion gauge failure.
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