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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
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국제특허분류(IPC7판) |
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출원번호 | US-0921184 (2004-08-19) |
우선권정보 | JP-2003/298973(2003-08-22) |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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대리인 / 주소 |
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인용정보 | 피인용 횟수 : 7 인용 특허 : 8 |
A near-field photoresist for formation of a fine pattern with by near-field exposure includes an alkali-soluble novalac resin, a diazyde-type photosensitizer which is photoreactive by near-field exposure, a photoacid generator which generates acid by the near-field exposure, and a solvent.
What is claimed is: 1. A fine pattern forming method for transferring a fine pattern onto a workpiece substrate by means of an exposure mask provided with the fine pattern, comprising: a step of preparing the exposure mask provided with the fine pattern; a step of preparing a near-field exposure ph
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