최소 단어 이상 선택하여야 합니다.
최대 10 단어까지만 선택 가능합니다.
다음과 같은 기능을 한번의 로그인으로 사용 할 수 있습니다.
NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
---|---|
국제특허분류(IPC7판) |
|
출원번호 | US-0502537 (2003-01-10) |
우선권정보 | JP-2002-045725(2002-02-22) |
국제출원번호 | PCT/JP03/000175 (2003-01-10) |
§371/§102 date | 20041007 (20041007) |
국제공개번호 | WO03/071588 (2003-08-28) |
발명자 / 주소 |
|
출원인 / 주소 |
|
대리인 / 주소 |
|
인용정보 | 피인용 횟수 : 6 인용 특허 : 5 |
The present invention has its object to obtain an SiC monitor wafer which can flatten the surface until particle detection is possible. SiC of a crystal system 3C is deposited on a substrate by a CVD (Chemical Vapor Deposition) method, and the SiC is detached from a substrate. After the SiC surface
The invention claimed is: 1. A production method of an SiC monitor wafer having an ultra-flat and clean surface comprising the steps of: depositing SiC of crystal system 3C on a substrate by a CVD (Chemical Vapor Deposition) method; detaching the SiC from the substrate; flattening the SiC surface b
※ AI-Helper는 부적절한 답변을 할 수 있습니다.