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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
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국제특허분류(IPC7판) | H01L-031/00 H01L-023/52 H01L-021/44 H01L-021/02 |
미국특허분류(USC) | 257/779; 257/459; 257/758; 257/761; 438/108; 438/612 |
출원번호 | US-0755282 (2001-01-08) |
발명자 / 주소 | |
출원인 / 주소 | |
대리인 / 주소 |
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인용정보 | 피인용 횟수 : 11 인용 특허 : 53 |
This invention relates to a new improved method and structure in the fabricating of aluminum metal pads. The formation special aluminum bond pad metal structures are described which improve adhesion between the tantalum nitride pad barrier layer and the underlying copper pad metallurgy by a special interlocking bond pad structure. It is the object of the present invention to provide a process wherein a special grid of interlocking via structures is placed in between the underlying copper pad metal and the top tantalum nitride pad barrier layer providing ...
The invention claimed is: 1. A bond pad structure, comprising: a semiconductor substrate; a passivating layer forming multiple free-standing vertical islands to provide interlocking grid structures over said semiconductor substrate, wherein the vertical islands are separated by openings in said passivating layer; a continuous barrier layer formed of tantalum nitride over said vertical islands of said passivating layer and in said openings; and a conducting pad formed within said openings and over said interlocking grid structures and over said barrier l...