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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
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국제특허분류(IPC7판) |
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출원번호 | US-0677347 (2000-10-02) |
우선권정보 | DE-199 48 395(1999-10-06) |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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대리인 / 주소 |
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인용정보 | 피인용 횟수 : 44 인용 특허 : 4 |
A radiation-heated fluidized-bed reactor and a process for producing high-purity polycrystalline silicon by using this reactor are provided. In this reactor, a heater device (14) is a radiation source for thermal radiation which is arranged outside the inner reactor tube and as a cylinder around the
What is claimed is: 1. A fluidized-bed reactor (1) comprising: a) a pressure-supporting enclosure (2); b) an inner reactor tube (3) within said enclosure ( 2) and made from a material which exhibits high transmission for thermal radiation; c) an inlet (4) at a top of said enclosure (2) for silicon
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