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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
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국제특허분류(IPC7판) |
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출원번호 | US-0928523 (2001-08-13) |
우선권정보 | JP-2000-264934(2000-09-01); JP-2000-293596(2000-09-27); JP-2001-207785(2001-07-09) |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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대리인 / 주소 |
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인용정보 | 피인용 횟수 : 13 인용 특허 : 13 |
A hydrogen chloride gas and an ammonia gas are introduced with a carrier gas into a reactor in which a substrate and at least an aluminum metallic material through conduits. Then, the hydrogen gas and the ammonia gas are heated by heaters, and thus, a III-V nitride film including at least Al element
What is claimed is: 1. An apparatus for fabricating a III-V nitride film including at least Al on a given substrate using a Hydride Vapor Phase Epitaxy method using a chloride-based gas, comprising a double reactor structure constructed of an inner reactor to hold a substrate and at least an alumin
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