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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
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국제특허분류(IPC7판) |
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출원번호 | US-0747603 (2003-12-29) |
우선권정보 | KR-10-2002-0088279(2002-12-31) |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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대리인 / 주소 |
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인용정보 | 피인용 횟수 : 0 인용 특허 : 5 |
A method of forming a bonding pad of a semiconductor device is disclosed. An example method forms a first insulating layer over a semiconductor substrate, forms a trench by removing some part of the first insulating layer, forms a top metal interconnect in the trench, forms a second insulating layer
What is claimed is: 1. A method of forming a bonding pad of a semiconductor device comprising: forming a first insulating layer over a semiconductor substrate; forming a trench by removing some portion of the first insulating layer; forming a top metal interconnect in the trench; forming a second i
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