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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
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국제특허분류(IPC7판) |
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출원번호 | US-0680135 (2003-10-08) |
우선권정보 | KR-10-2002-0061429(2002-10-09) |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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대리인 / 주소 |
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인용정보 | 피인용 횟수 : 3 인용 특허 : 3 |
A method for manufacturing a semiconductor device includes forming a barrier layer on an individual device formed on a semiconductor substrate and including a MOS transistor. An ozone process is performed on the barrier layer. A pre-metal dielectric (I'MD) layer is then formed on the barrier layer.
What is claimed is: 1. A method for manufacturing a semiconductor device, comprising: forming a barrier layer on an individual device formed on a semiconductor substrate, and that includes a MOS transistor; performing an ozone process on the barrier layer; and forming a pre-metal dielectric (PMD) l
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