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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
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국제특허분류(IPC7판) |
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출원번호 | US-0602436 (2003-06-23) |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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대리인 / 주소 |
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인용정보 | 피인용 횟수 : 144 인용 특허 : 23 |
Disclosing is a strained silicon finFET device having a strained silicon fin channel in a double gate finFET structure. The disclosed finFET device is a double gate MOSFET consisting of a silicon fin channel controlled by a self-aligned double gate for suppressing short channel effect and enhancing
What is claimed is: 1. A method of fabricating a strained silicon finFET device, comprising the steps of: a) providing a silicon on insulator substrate having a silicon surface having a silicon-containing multilayer on an insulator layer; a1) depositing a layer of SiGe onto the silicon on insulator
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