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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
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국제특허분류(IPC7판) |
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출원번호 | US-0349618 (2003-01-23) |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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인용정보 | 피인용 횟수 : 18 인용 특허 : 14 |
The present invention describes a processes that builds an acoustic cavity, a chamber, and vent openings for acoustically connecting the chamber with the acoustic cavity. The dry etch processes may include reactive ion etches, which include traditional parallel plate RIE dry etch processes, advanced
What is claimed is: 1. A process, comprising: reducing the thickness of a back side of a substrate in an area where vents are to be formed; releasing a mesh from a top side of the substrate with an isotropic etch; and forming vent openings that connect the released mesh and the area of reduced thic
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