최소 단어 이상 선택하여야 합니다.
최대 10 단어까지만 선택 가능합니다.
다음과 같은 기능을 한번의 로그인으로 사용 할 수 있습니다.
NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
---|---|
국제특허분류(IPC7판) |
|
출원번호 | US-0838269 (2004-05-05) |
우선권정보 | JP-2003-128229(2003-05-06) |
발명자 / 주소 |
|
출원인 / 주소 |
|
대리인 / 주소 |
|
인용정보 | 피인용 횟수 : 1 인용 특허 : 4 |
A porous structure with high uniformity is provided even when evaluated at a high resolution (high evaluation standard) of several or several ten nm or less. By applying this porous structure to the manufacture of an SOI substrate, an SOI substrate which has an SOI layer with a small number of defec
What is claimed is: 1. A member which includes a porous region, wherein in a region at a depth within a range from 5 to 100 nm from a surface of the porous region made of silicon, a thickness of a porous wall between pores, a density of pores, and a porosity are substantially uniform. 2. A membe
※ AI-Helper는 부적절한 답변을 할 수 있습니다.