$\require{mediawiki-texvc}$

연합인증

연합인증 가입 기관의 연구자들은 소속기관의 인증정보(ID와 암호)를 이용해 다른 대학, 연구기관, 서비스 공급자의 다양한 온라인 자원과 연구 데이터를 이용할 수 있습니다.

이는 여행자가 자국에서 발행 받은 여권으로 세계 각국을 자유롭게 여행할 수 있는 것과 같습니다.

연합인증으로 이용이 가능한 서비스는 NTIS, DataON, Edison, Kafe, Webinar 등이 있습니다.

한번의 인증절차만으로 연합인증 가입 서비스에 추가 로그인 없이 이용이 가능합니다.

다만, 연합인증을 위해서는 최초 1회만 인증 절차가 필요합니다. (회원이 아닐 경우 회원 가입이 필요합니다.)

연합인증 절차는 다음과 같습니다.

최초이용시에는
ScienceON에 로그인 → 연합인증 서비스 접속 → 로그인 (본인 확인 또는 회원가입) → 서비스 이용

그 이후에는
ScienceON 로그인 → 연합인증 서비스 접속 → 서비스 이용

연합인증을 활용하시면 KISTI가 제공하는 다양한 서비스를 편리하게 이용하실 수 있습니다.

Film or layer made of semi-conductive material and method for producing said film or layer

IPC분류정보
국가/구분 United States(US) Patent 등록
국제특허분류(IPC7판)
  • H01L-021/8238
  • H01L-021/70
출원번호 US-0481537 (2002-06-27)
우선권정보 DE-101 31 249(2001-06-28)
국제출원번호 PCT/EP02/007125 (2002-06-27)
§371/§102 date 20031218 (20031218)
국제공개번호 WO03/003430 (2003-01-09)
발명자 / 주소
  • Murphy,Brian
  • Wahlich,Reinhold
  • Schmolke,R체diger
  • Von Ammon,Wilfried
  • Moreland,James
출원인 / 주소
  • Siltronic AG
대리인 / 주소
    Brooks Kushman P.C.
인용정보 피인용 횟수 : 7  인용 특허 : 10

초록

The invention relates to a film or a layer made of semi-conducting material with low defect density in the thin layer, and a SOI-disk with a thin silicon layer exhibiting low surface roughness, defect density and thickness variations. The invention also relates to a method for producing a film or a

대표청구항

What is claimed is: 1. A process for producing a film or a layer of semiconducting material, comprising the following steps: a) producing structures comprising periodically recurring recesses of predetermined geometries on the surface of a semiconducting material, b) heat treating the surface-struc

이 특허에 인용된 특허 (10)

  1. Sato Nobuhiko,JPX ; Yonehara Takao,JPX ; Sakaguchi Kiyofumi,JPX, Method for producing semiconductor substrate.
  2. Alexander Kalnitsky ; Robert F. Scheer, Method of forming an integrated circuit on a low loss substrate.
  3. Aspar Bernard,FRX ; Bruel Michel,FRX ; Poumeyrol Thierry,FRX, Method of producing a thin layer of semiconductor material.
  4. Aspar Bernard,FRX ; Bruel Michel,FRX ; Poumeyrol Thierry,FRX, Method of producing a thin layer of semiconductor material.
  5. Henley Francois J. ; Cheung Nathan W., Pressurized microbubble thin film separation process using a reusable substrate.
  6. Sakaguchi Kiyofumi,JPX ; Yonehara Takao,JPX, Process for producing semiconductor article.
  7. Sato Nobuhiko,JPX, Process for producing semiconductor substrate.
  8. Graef Dieter,DEX ; Ammon Wilfried Von,DEX ; Wahlich Reinhold,DEX ; Krottenthaler Peter,DEX ; Lambert Ulrich,DEX, Process for producing silicon semiconductor wafers with low defect density.
  9. Bruel Michel (Veurey FRX), Process for the production of thin semiconductor material films.
  10. Sato, Nobuhiko, Semiconductor substrate and method for producing the same.

이 특허를 인용한 특허 (7)

  1. Murakami,Yoshio; Yamazaki,Toru; Aoki,Yoshiro; Endo,Akihiko, Method for manufacturing silicon-on-insulator wafer.
  2. Wu, YewChung Sermon; Hou, Chih Yuan; Hu, Guo Ren; Liu, Po Chih, Methods for fabricating polysilicon film and thin film transistors.
  3. Oh,Chang Woo; Park,Dong Gun; Lee,Sung Young; Choe,Jeong Dong, Methods of fabricating semiconductor-on-insulator (SOI) substrates and semiconductor devices using sacrificial layers and void spaces.
  4. Oh, Chang-Woo; Park, Dong-Gun, Semiconductor device having floating body element and bulk body element.
  5. Oh, Chang-Woo, Semiconductor devices with connection patterns.
  6. Dantz, Dirk; Huber, Andreas; Wahlich, Reinhold; Murphy, Brian, Semiconductor substrate and process for producing it.
  7. Ogura, Atsushi, Semiconductor substrate manufacturing method and semiconductor device manufacturing method, and semiconductor substrate and semiconductor device manufactured by the methods.
섹션별 컨텐츠 바로가기

AI-Helper ※ AI-Helper는 오픈소스 모델을 사용합니다.

AI-Helper 아이콘
AI-Helper
안녕하세요, AI-Helper입니다. 좌측 "선택된 텍스트"에서 텍스트를 선택하여 요약, 번역, 용어설명을 실행하세요.
※ AI-Helper는 부적절한 답변을 할 수 있습니다.

선택된 텍스트