[특허]Process of insulating a semiconductor device using a polymeric material

Process of insulating a semiconductor device using a polymeric material 원문보기

IPC분류정보
국가/구분	United States(US) Patent 등록
국제특허분류(IPC7판)	H01L-021/31 H01L-021/02
출원번호	US-0456299 (2003-06-06)
발명자 / 주소	Cotte,John M. McCullough,Kenneth John Moreau,Wayne Martin Petrarca,Kevin Simons,John P. Taft,Charles J. Volant,Richard
출원인 / 주소	International Business Machines Corporation
대리인 / 주소	Scully, Scott, Murphy &
인용정보	피인용 횟수 : 0 인용 특허 : 18

초록 ▼

A dielectric material formed by contacting a low dielectric constant polymer with liquid or supercritical carbon dioxide, under thermodynamic conditions which maintain the carbon dioxide in the liquid or supercritical state, wherein a porous product is formed. Thereupon, thermodynamic conditions are

대표청구항 ▼

What is claimed is: 1. A process of insulating an electric assembly which includes semiconductor devices comprising the steps of: (a) disposing a film of a polymeric material upon a surface of a semiconductor device; (b) contacting said polymeric material with a porogen; (c) contacting said porogen-included polymeric material with liquid or supercritical carbon dioxide under thermodynamic conditions consistent with the maintenance of carbon dioxide in said liquid or supercritical state; and (d) adjusting said thermodynamic conditions under which said semiconductor device is maintained to those of ambient temperature and pressure. 2. A process in accordance with claim 1 wherein said polymeric material is selected from the group consisting of polyimides, fluorinated polymides, polyorganohydrosilanes, polysiloxanes, polyphenylenes, copolymers of divinylsiloxane and bisbenzocyclobutene, polybenzyl, polyarylethers and polyetrafluoroethylene. 3. A process in accordance with claim 2 wherein said polymeric material is polyphenlene. 4. A process in accordance with claim 1 wherein said porogen contacting step comprises disposing said porogen in a concentration of between about 0.1% end about 1% on a polyphenylene film, said percentages being by weight, based on the weight of said polyphenylene. 5. A process in accordance with claim 1 wherein said step (c) occurs at a temperature, in the range of between about 32째 C. and about 100째 C. and at a pressure in the range of between about 1,000 psi and about 8,000 psi. 6. A process in accordance with claim 1 wherein said porogen is selected from the group consisting of water, acetone, toluene, methanol, ethanol, propanol and mixtures thereof. 7. A process in accordance with claim 1 wherein said porogen is disposed on the surface of said polymeric material. 8. A process in accordance with claim 7 wherein said porogen is water.

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