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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
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국제특허분류(IPC7판) |
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출원번호 | US-0362654 (2002-06-08) |
우선권정보 | DE-101 30 379(2001-06-23) |
국제출원번호 | PCT/DE02/002096 (2002-06-08) |
§371/§102 date | 20030807 (20030807) |
국제공개번호 | WO03/001158 (2003-01-03) |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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대리인 / 주소 |
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인용정보 | 피인용 횟수 : 3 인용 특허 : 8 |
In a mass flow sensor having a layered structure on the upper side of a silicon substrate (1), and having at least one heating element (8) patterned out of a conductive layer in the layered structure, thermal insulation between the heating element ( 8) and the silicon substrate (1) is achieved by wa
What is claimed is: 1. A method for manufacturing a micromechanical mass flow sensor, the method comprising: patterning an etching mask that is one of applied on a silicon layer that is applied above a silicon oxide layer on a silicon substrate and applied directly on the silicon substrate; produci
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