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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
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국제특허분류(IPC7판) |
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출원번호 | US-0021248 (2004-12-21) |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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대리인 / 주소 |
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인용정보 | 피인용 횟수 : 1 인용 특허 : 27 |
A process for forming a thin layer exhibiting a substantially uniform property on an active surface of a semiconductor substrate includes varying the temperature within a reaction chamber while a layer of a material is formed upon the semiconductor substrate. Varying the temperature within the reac
What is claimed is: 1. A process for forming a material layer on a semiconductor substrate, comprising: placing the semiconductor substrate into a reaction chamber; oscillating temperature within the reaction chamber during a heat-up phase before a reactant is introduced into the reaction chamber;
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