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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
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국제특허분류(IPC7판) |
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출원번호 | US-0745014 (2003-12-23) |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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인용정보 | 피인용 횟수 : 40 인용 특허 : 37 |
A dynamic random access memory solves long-existing tight pitch layout problems using a multiple-dimensional bit line structure. Improvement in decoder design further reduces total area of this memory. A novel memory access procedure provides the capability to make internal memory refresh complete
I claim: 1. An integrated circuit (IC) on a semiconductor substrate comprising: a high performance logic-circuit including a plurality of sub-micron logic transistors, at least a portion of said sub-micron logic transistors having a gate terminal with a gate oxide; and a plurality of embedded DRAM
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