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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
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국제특허분류(IPC7판) |
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출원번호 | US-0456708 (2003-06-06) |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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대리인 / 주소 |
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인용정보 | 피인용 횟수 : 148 인용 특허 : 223 |
The benefits of strained semiconductors are combined with silicon-on-insulator approaches to substrate and device fabrication.
What is claimed is: 1. A method for forming a structure, the method comprising: providing a substrate having a dielectric layer disposed thereon, and a first strained semiconductor layer disposed in contact with the dielectric layer; and forming a fin-field-effect transistor on the substrate by: pa
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