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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
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국제특허분류(IPC7판) |
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출원번호 | US-0327321 (2002-12-20) |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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대리인 / 주소 |
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인용정보 | 피인용 횟수 : 2 인용 특허 : 3 |
Very low moisture o-rings are prepared by placing standard o-rings under vacuum in an inert atmosphere for a period of time sufficient to achieve a desired outgassing rate. Heat is not applied. While the o-rings are under vacuum, moisture is removed from the o-rings via diffusion transport.
The invention claimed is: 1. A method for preparing a moisture-depleted o-ring comprising: a) calculating an amount of time required for an o-ring of known dimensions to be placed under vacuum to achieve a desired outgassing rate; b) placing the o-ring under vacuum for the calculated amount of time
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