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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
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국제특허분류(IPC7판) |
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출원번호 | US-0438566 (2003-05-15) |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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인용정보 | 피인용 횟수 : 0 인용 특허 : 11 |
One aspect of the invention relates to a method of removing contaminants from a low-k film. The method involves forming a sacrificial layer over the contaminated film. The contaminants combine with the sacrificial layer and are removed by etching away the sacrificial layer. An effective material fo
What is claimed is: 1. A method of fabricating an integrated circuit, comprising the following steps performed in order: forming a sacrificial layer on a surface of a semiconductor body, wherein the sacrificial layer reacts with a contaminant at said surface and wherein said contaminant comprises a
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