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특허 상세정보

Single and dual damascene techniques utilizing composite polymer dielectric film

특허상세정보
국가/구분 United States(US) Patent 등록
국제특허분류(IPC7판) H01L-021/76    H01L-021/70   
미국특허분류(USC) 438/400; 257/E21.242
출원번호 US-0815994 (2004-03-31)
발명자 / 주소
출원인 / 주소
대리인 / 주소
    Alleman Hall McCoy Russell &
인용정보 피인용 횟수 : 1  인용 특허 : 30
초록

A method of forming an electrically conductive element in an integrated circuit is disclosed. The method includes depositing a composite polymer dielectric film onto a silicon-containing substrate, wherein the composite polymer dielectric film includes a silane-containing adhesion promoter layer formed on the silicon-containing substrate, and a low dielectric constant polymer layer formed on the adhesion promoter layer, depositing a silane-containing hard mask layer onto the composite polymer dielectric film, exposing the adhesion promoter layer and the ...

대표
청구항

What is claimed is: 1. A method of forming an electrically conductive element in an integrated circuit, the method comprising: depositing a composite polymer dielectric film onto a substrate, wherein the composite polymer dielectric film includes a silane-containing adhesion promoter layer formed on the silicon-containing substrate, and a low dielectric constant polymer layer formed on the adhesion promoter layer, wherein the adhesion promoter layer is at least partially formed from at least one material having a general structure of (RZ)x--Si--(W--T)y,...

이 특허에 인용된 특허 (30)

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