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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
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국제특허분류(IPC7판) |
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출원번호 | US-0988122 (2001-11-19) |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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대리인 / 주소 |
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인용정보 | 피인용 횟수 : 6 인용 특허 : 91 |
A method for protecting a non-volatile memory device, the method including forming a non-volatile memory device including a polycide structure formed over a non-conducting charge trapping layer, and forming a protective layer over at least a portion of the polycide structure, the protective layer be
What is claimed is: 1. A method of protecting a non-volatile memory device, the method comprising: forming a non-volatile memory device comprising a polycide structure formed over a non-conducting charge trapping layer; and forming a resistive protective layer over at least a portion of said polyci
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