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Integrated circuit and battery powered electronic device 원문보기

IPC분류정보
국가/구분 United States(US) Patent 등록
국제특허분류(IPC7판)
  • H01H-035/00
출원번호 US-0502183 (2002-12-18)
우선권정보 EP-02075274(2002-01-23)
국제출원번호 PCT/IB02/005602 (2002-12-18)
§371/§102 date 20040721 (20040721)
국제공개번호 WO03/063356 (2003-07-31)
발명자 / 주소
  • Veendrick,Hendricus Joseph Maria
  • Meijer,Rinze Ida Mechtildis Peter
  • Rao,Kiran Batni Raghavendra
출원인 / 주소
  • Koninklijke Philips Electronics N.V.
인용정보 피인용 횟수 : 6  인용 특허 : 12

초록

An integrated circuit (100) has a circuit portion (102) that can be switched to a standby mode through an enable transistor (104), which is coupled between an internal power supply line (120) and an external power supply line (130). The enable transistor (104) is controlled by control circuitry via

대표청구항

The invention claimed is: 1. An integrated circuit (100), comprising: an external power supply line (130); an internal power supply line (120); a circuit portion (102) coupled to the internal power supply line (120); an enable transistor (104) for coupling the internal power supply line (120) to th

이 특허에 인용된 특허 (12)

  1. Cranford ; Jr. Hayden Clavie ; Stephens Geoffrey B., CMOS device and circuit and method of operation dynamically controlling threshold voltage.
  2. Kotzle Gunther,DEX ; Kreuter Volker,DEX ; Ludwig Thomas,DEX ; Schettler Helmut,DEX, CMOS integrated semiconductor circuit.
  3. Jeon Jun-Young (Seoul KRX), Charge pump circuit for a substrate voltage generator of a semiconductor memory device.
  4. Halepete Sameer D. (Sunnyvale CA), Dynamic MOSFET threshold voltage controller.
  5. Hoffman Louis S. (Morristown NJ) Bohmer William (Flanders NJ) DeVito Ralph J. (Bound Brook NJ) Langille Brian R. (Great Meadows NJ) Watkins Richard D. (Whippany NJ) Sanders Charles B. (Cedar Grove NJ, Electrically operated dispensing apparatus and disposable container useable therewith.
  6. Hirase Junji (Osaka JPX) Akamatsu Hironori (Osaka JPX) Akamatsu Susumu (Osaka JPX) Hori Takashi (Osaka JPX), High speed mis-type intergrated circuit with self-regulated back bias.
  7. Ye Yibin ; De Vivek K., Method and apparatus for reducing standby leakage current using a leakage control transistor that receives boosted gate drive during an active mode.
  8. Cordoba Michael V. (Colorado Springs CO) Hardee Kim C. (Colorado Springs CO), Oscillatorless substrate bias generator.
  9. Mashiko Koichiro,JPX ; Ueda Kimio,JPX ; Suzuki Hiroaki,JPX ; Morinaka Hiroyuki,JPX, Semiconductor integrated circuit.
  10. Kuroda Tadahiro,JPX, Semiconductor integrated circuit device controlling the threshold value thereof for power reduction at standby mode.
  11. Hirayama Takeshi (Tokyo JPX) Fukuma Masao (Tokyo JPX), Semiconductor integrated circuit incorporated with substrate bias control circuit.
  12. Cleveland Lee Edward ; Kim Yong, Use of biased high threshold voltage transistor to eliminate standby current in low voltage integrated circuits.

이 특허를 인용한 특허 (6)

  1. Chua-Eoan, Lew G; Severson, Matthew L; Dobre, Sorin A; Petrov, Tsvetomir P; Goel, Rajat, Distributed supply current switch circuits for enabling individual power domains.
  2. Wang, Chengcheng; Markovic, Dejan, Fine-grained power gating in FPGA interconnects.
  3. Jeon, Jae-Han, Power gating circuit and integrated circuit.
  4. Takahashi, Kenji; Furutani, Kiyohiro, Semiconductor device including transistors that exercise control to reduce standby current.
  5. Meijer, Rinze I. M. P.; Goel, Sandeep Kumar; Pineda De Gyvez, Jose De Jesus, Test prepared integrated circuit with an internal power supply domain.
  6. Coutts, Ryan Michael, Voltage dependent die RC modeling for system level power distribution networks.
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