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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
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국제특허분류(IPC7판) |
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출원번호 | US-0195271 (2002-07-15) |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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인용정보 | 피인용 횟수 : 50 인용 특허 : 9 |
CMOS gate structure with metal gates having differing work functions by texture differences between NMOS and PMOS gates.
What is claimed is: 1. An integrated circuit, comprising: (a) a substrate with NMOS and PMOS transistors; (b) wherein said NMOS transistors have gates made of a first gate material with a first texture directly adiacent nate dielectric; and (c) wherein said PMOS transistors have gates made of said
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